为什么温度升高vbe会减小 而电流放大系数增大?三极管的Vce和Vbe有什么关系吗?

2天前 (09-03 17:42)阅读1回复0
wsygfsj
wsygfsj
  • 管理员
  • 注册排名5
  • 经验值400635
  • 级别管理员
  • 主题80127
  • 回复0
楼主
  1. 为什么温度升高vbe会减小 而电流放大系数增大?
  2. 三极管的Vce和Vbe有什么关系吗?
  3. npn硅管如何推断工作区域?
  4. excel找不到工程或库无法保存?

为什么温度升高vbe会减小 而电流放大系数增大?

为什么温度升高vbe会减小 而电流放大系数增大?三极管的Vce和Vbe有什么关系吗?

1、由于素材的特性和制造工艺的差异,半导体三极管的直流放大系数β并不是一条直线,也就是说,随着基极电流的转变,β也有少量转变,特别在Ib较小时,β也较小,因此,设置三极管的工作点时一般都安顿在β曲线的较平整的区...1、由于素材的特性和制造工艺的差异,半导体三极管的直流放大系数β并不是一条直线,也就是说,随着基极电流的转变,β也有少量转变,特别在Ib较小时,β也较小,因此,设置三极管的工作点时一般都安顿在β曲线的较平整的区域,这样的区域就是阐明书中提供β的直流测试参数.

2、在Ib不变的情状下,Ube会随着环境温度的转变而转变,普通说的硅素材三极管的Ube为0.0.7V左右,这是室温在25°C时的测试值.经测试,硅三极管发射结正向压降的转变量是每增加一度,Ube就转变 -2.5mV/°C,也就是说,随着温度的增加,Ube就线性减小.

三极管的Vce和Vbe有什么关系吗?

Vce和Vbe是两个不同的值:

在阐明资料中给出的数据Vce通常是指三极管的最大工作电压(C极和E极之间); 在实际电路中Vce通常是三极管的实际工作电压(C极和E极之间)。

而Vbe是指三极管的b极偏压。

npn硅管如何推断工作区域?

对于NPN型硅三极管,当基极电压高于发射极0.6V左右,集电极电压高于发射极电压0.4V以上且低于电源电压时,该三极管处于放大状态;当基极电压高于发射极0.4V以下或低于发射极电压时,处于截止状态;当基极电压高于发射极0.6V左右,集电极电压高于发射极0.3V左右,处于饱和状态。

2、对于PNP型硅三极管,当基极电压低于发射极0.6V左右,集电极电压低于发射极电压0.4V以上且高于电源电压时,该三极管处于放大状态;当基极电压低于发射极0.4V以下或高于发射极电压时,处于截止状态;当基极电压低于发射极0.6V左右,集电极电压低于发射极0.3V左右,处于饱和状态。

三极管工作在饱和区时,其发射结与集电结均为正偏。

对于小功率npn型硅管,显现为vbe多0.7v(略大于工作在放大区时的数值),vbc>;0v (不大于vbe的值);

对于小功率npn型锗管,类似地有vbe≥0.2v(略大于工作在放大区时的值),vbc>;ov (不大于vbe的值)。

对于pnp型的晶体管,上述电压值的符号相反,即小功率的pnp型硅管,vbe≥-0.7v,vb<0v(不小于vbe的值;小功率pnp型锗管,vbe≤-2v,vbc<0v(不小于vbe的值)。

一般情状下,此时的vce≈0.3v(硅管)或 vce≈0.1v(锗管),假如我们检测出电路中的晶体三极管极间电压符合上述情状,则可推断该三极管工作在饱和区。

excel找不到工程或库无法保存?

一般情状下,出现此错误是因为找不到引用工程,或找不到与工程语言对应的引用的对象库,还有就是安装Office精简版也会出现此类错误。 解决 *** :

1、在VBE窗口中抉择出错的 VBA 工程,灵敏键:ALT+F11 2、在 VBA 的主菜单【工具】->【引用】打开引用对话框 3、查找带勾项中含“丢失…”、“找不到…”、“MISSING…”的条目,并取缔勾选!

4、一般情状下,用第3步即可解决,如问题依旧,请在“可用的引用”中查找并勾选与丢失的条目类似的引用(一般除版本号不同,其它名称相同,如有多个版本,请抉择最高版本)假如还不能解决,可能是电脑中缺少控件或对象库,需要下载控件并注册,后返回上面步骤解决。

原因:VBA设置的问题。

1、首先打开需要编辑的Excel表格,进进到编辑页面中。

2、然后鼠标右键单击工作表,抉择打开“查看代码”选项。

3、然后在弹出来的窗口中点击打开主菜单栏工具中的“引用”选项。

4、然后在弹出来的窗口中点击取缔所有或尽可能多的对勾,回车确定。

5、然后在弹出来的窗口中,提示有些对勾提示不能取缔,不用理会,点击确定。

6、然后就可以正常运行宏了

0
回帖

为什么温度升高vbe会减小 而电流放大系数增大?三极管的Vce和Vbe有什么关系吗? 期待您的回复!

取消