CMP，即化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing）技术，是一种利用化学反应和机械力互相作用，对半导体晶体表面进行高效率抛光的技术。该技术的应用范围广泛，包括集成电路、光学器件、MEMS及硬盘等各类半导体器件的制造。
CMP工艺流程主要包括以下步骤：
1.表面清洗：将半导体晶片置于酸性或碱性清洗液中，去除晶片表面的杂质和污染物。
2.填充材料：将CMP硅片放置于CMP机台上，并使用涂布机将填充材料涂在晶片表面。填充材料通常是氧化铝、二氧化硅或氮化硅等。
3.粗抛光：将填充材料表面较高的部分通过机械力和化学反应抛光至与晶片表面齐平。
4.中间清洗：用紫外线检测晶片表面的平整度，并在必要时进行清洗和校正。
5.细抛光：接着进行细抛光，将晶片表面抛至所需平整度。
6.最后清洗：使用纯水清洗晶片表面的残留物。
CMP技术具有高效率、高精度、高可靠性等优点，并且可以减少生产过程中的污染问题。在半导体器件制造领域中，CMP技术已成为不可或缺的技术之一。
0