最后的区熔提纯法是把被提纯物放到髙纯石墨或石英船内停止提纯的。硅熔点高达
1420°C，在该熔点下，硅的化学性量十分活
泼，找不到与它不发作反响的素材，所以特
别随便被污染。为了征服区熔提纯法的该项
不敷，后来创造了一种悬浮区熔法。
悬浮区
熔法是靠熔融硅的外表张力托住熔区，没必要
利用坩埚，如许除了靠分凝提纯外，在实空
的前提下还有利于除往气体杂量。因为那种
办法在提纯时，其熔区不与其他任何物量接
触，是悬浮在被提纯物上的，所以称为悬浮
区熔，简称为区熔。悬浮区熔法不只能够提
纯硅，并且还能够造取单晶硅，也就是使多
晶硅酿成单晶硅。
悬浮区熔法消费单晶硅所用的次要设备
是高实空悬浮区熔单晶炉，简称为区熔炉。区熔炉同单晶炉一样，也是一个极
其复杂的机构，也能够把它简单地分为两个部门：一个部门是机械部门；另一个部门是电气
部门。
（1） 机械部门。机械部门次要由炉室、热系统、籽晶扭转提拔机构、实空系统、充气系统、水冷系统构成。
（2） 电气部门。电气部门次要由2~3MHZ的高频线圈加热电源、高频线圈加热、电加热的温度掌握系统、速度掌握系统、水温巡检及形态报瞥系统等构成。
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